亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算；使用知名的集成电路器件模拟软件ATLAS模拟了该效应；并对实际MOSFET作了I-V特性曲线和跨导变化量随偏压时间变化的实验测试。理论分析、实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应而提出的GOLD结构也获得很好的模拟结果。