NMOS器件ESD特性模拟Simulation of NMOS Transistor ESD Characteristics

- NMOS器件ESD特性模拟 Simulation of NMOSTransistor ESD Characteristics 作者:郑若成,孙锋,吴金 学术期刊 电子与封装ELECTRONICS & PACKAGING 2008年第8卷第3期
- 硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响作者:何玉娟,潘金辉,罗宏伟,恩云飞,肖庆中 会议论文 2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会 2010年
- 栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响 Effect of Gate Length on ESD Characteristics of SOI MOS Device 作者:恩云飞,何玉娟,罗宏伟,潘金辉,肖庆中 学术期刊 固体电子学研究与进展RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS 2010年第30卷第3期
- 减少NMOS器件反窄沟道效应的方法作者:钱文生 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2005年
- 温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响 Effects of Temperature and Dose Rates on Mobility of NMOS Devices 作者:何宝平,姚育娟,彭宏论,张正选,姜景和 学术期刊 微电子学MICROELECTRONICS 2000年第30卷第3期
- 抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2009年
- 一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2009年
- 抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2009年
- NMOS器件及其形成方法作者:甘正浩,吴永坚,郭锐,廖金昌 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2009年
- 基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 发明专利 中华人民共和国国家知识产权局 2009年