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首页 > 学术期刊 : 半导体学报JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型An Analytical Model of Drain Current for Ultra-Thin Body and Double-Gate Schottky Source/Drain MOSFETs Accounting for Quantum Effects
考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型An Analytical Model of Drain Current for Ultra-Thin Body and Double-Gate Schottky Source/Drain MOSFETs Accounting for Quantum Effects<<半导体学报JOURNAL OF SEMICONDUCTORS>>2008年第29卷第5期
学术期刊 QCode : bdtxb200805012
推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.
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